電子、半導體行業解決(jué)方案
2021-09-16
半導(dǎo)體生產廢氣、電子廠廢氣的形成
半(bàn)導體生產製造過程可以分(fèn)為3個階段:晶(jīng)體材料生(shēng)產階段、各種型號晶片製造階段和組裝階段(duàn),其中汙染輕(qīng)的組裝(zhuāng)階段僅涉
及組裝工藝(yì),汙染較為嚴重(chóng)的是晶片製造階段。
清洗工藝為保留芯片表麵特性,采(cǎi)用化學溶液有(yǒu)效的清除半導體矽片表麵的灰塵、殘留有機物和吸附(fù)在表(biǎo)麵的(de)各(gè)種離子,主要產
生各類廢(fèi)氣及廢液。晶(jīng)圓鍵合以有無中間過渡層可分為直接鍵合和中間層鍵(jiàn)合,而(ér)直接鍵合方式具有鍵合強度高的優勢,是目前應用
的主流,鍵合工序汙染較小僅產生廢水(shuǐ)。
氧(yǎng)化是在高溫惰性環境(jìng)下,通(tōng)入氧(yǎng)氣或含氧(yǎng)水汽,將(jiāng)矽片表麵的矽(guī)氧(yǎng)化生長氧化層,過程一(yī)般是(shì)將作為原料的(de)矽晶圓片放入潔淨
的石(shí)英爐管中,主要產生工藝廢氣。光刻是芯片製造的核心工藝,包括塗(tú)膠、曝光、顯影3個(gè)步驟。塗膠工藝(yì)是摻雜的過程主要采用離
子注入技術進行摻雜,以改變所使用的材料的電學性質,在電子(zǐ)噴淋裝置中,用氙氣產生的等離子體中和矽片表麵的正電(diàn)荷,主要產
生工藝廢氣。
在矽片的表(biǎo)麵(miàn)通過矽片(piàn)高速旋轉從而使其表麵(miàn)均勻地塗上光刻膠;曝光工藝為使用光刻(kè)機,並使用光掩膜版對已塗膠的(de)矽片進行
光照,;顯影工藝為去除曝光後矽片上(shàng)的光刻(kè)膠,這(zhè)些過程產生汙染較大,產生廢氣(qì)、廢水、固體廢物。刻蝕技術主要分為兩大類(lèi):
液(yè)態的濕法(fǎ)刻蝕和氣態的幹法刻蝕。幹法(fǎ)刻蝕:幹法刻蝕也是(shì)一種去除光刻膠未覆蓋區域的(de)薄膜的主要產生工藝廢氣。
半導體生產廢(fèi)氣、電子廠廢氣特性
主要治理工藝
VOC廢氣處(chù)理可(kě)使用如下工藝設備
1. UV光解(jiě)催化(huà)氧化(huà)法、低溫等離子法、活性炭淨化法、混合處理法
2. 催化燃燒處理法(CO)
3. 蓄熱式催化燃燒法(RCO)
4. 沸石(shí)轉輪+CO/沸石(shí)轉輪+TO/沸石轉輪+RCO/沸石轉輪+RTO
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